一：工藝信息
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1、工藝名稱 |
WB70 |
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2、工藝類型 |
Bipolar |
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3、工作電壓 |
60V |
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4、特征尺寸 |
2um |
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5、金屬布線 |
雙層 |
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6、總光刻/最少光刻層數 |
14/9 |
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7、主要工藝特征 |
NPN、LPNP、SPNP、二極管、高值注入電阻、以及SIN電容等器件 |
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8、應用方向 |
電源、放大器、驅動器、基準 |
二：器件參數
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器件名稱 |
器件類型 |
主要電參數 |
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hvndc111y8 |
npn |
beta=60-250Bvceo≥70Vft=400MHZ |
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hvlpgpbc10 |
低硼LPNP |
beta≥50Bvceo≥70Vft=5MHZ |
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hvspgpb111y8 |
襯底PNP |
beta≥20Bvceo≥70Vft≥5MHZ |
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deb9x9 |
EB二極管 |
V=6.5-7.5V |
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dzpc8x8 |
齊納二極管 |
V=5.7-6.3V |
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rpb |
基區電阻 |
Rs=145--175 |
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rpc |
高硼電阻 |
Rs=30--50 |
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Rir |
注入電阻 |
Rs=1800--2200 |
工藝平臺簡介_WB70
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