一：工藝信息
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1、工藝名稱 |
WB40 |
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2、工藝類型 |
Bipolar |
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3、工作電壓 |
36V |
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4、特征尺寸 |
2um |
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5、金屬布線 |
雙層 |
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6、總光刻/最少光刻層數(shù) |
16/9 |
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7、主要工藝特征 |
NPN、LPNP、SPNP、VPNP、二極管、高值注入電阻、以及SIN電容等器件 |
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8、應用方向 |
電源、放大器、驅動器、基準 |
二：器件參數(shù)
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器件名稱 |
器件類型 |
主要電參數(shù) |
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Ndc111y8 |
npn |
beta=70-200Bvceo≥40Vft=400MHZ |
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Lpc10 |
低硼LPNP |
beta≥40Bvceo≥40Vft=5MHZ |
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lppcc10 |
高硼LPNP |
beta≥150Bvceo≥40Vft=5MHZ |
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spy30 |
襯底PNP |
beta≥50Bvceo≥40Vft≥5MHZ |
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Deb40x50 |
EB二極管 |
V=6.0-7.0V |
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Rpb10x100 |
基區(qū)電阻 |
Rs=200--240 |
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Rpc10x100 |
高硼電阻 |
Rs=40--60 |
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Rir10x100 |
注入電阻 |
Rs=1800--2200 |
工藝平臺簡介_WB40
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