一：工藝信息
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1、工藝名稱 |
WX40 |
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2、工藝類型 |
Bipolar |
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3、工作電壓 |
40V |
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4、特征尺寸 |
4um |
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5、金屬布線 |
雙層 |
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6、總光刻/最少光刻層數 |
23/10 |
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7、主要工藝特征 |
NPN、LPNP、SPNP、PJFET、VPNP、二極管、高值注入電阻、低溫度系數的POLY電阻、以及SIN電容等器件 |
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8、應用方向 |
電源、放大器、驅動器、基準 |
二：器件參數
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器件名稱 |
器件類型 |
主要電參數 |
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Ndc111y9 |
npn |
beta=80-250 Bvceo≥45V ft=400MHZ |
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lpy8 |
低硼LPNP |
beta=25-100 Bvceo≥45V ft=5MHZ |
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lppey8 |
高硼LPNP |
beta≥50 Bvceo≥45V ft=5MHZ |
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spg111y14 |
襯底PNP |
beta≥60 Bvceo≥45V ft≥5MHZ |
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pj100x10 |
PJFET |
Idss=20-200uA Vt=0.8-1.4V BVdss≥45V |
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deb9x9 |
EB二極管 |
V=6.5-7.5V |
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dzpc19x20 |
齊納二極管 |
V=5.5-6.2V |
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rpb |
基區電阻 |
Rs=200--240 |
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rpc |
高硼電阻 |
Rs=40--60 |
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Rir |
注入電阻 |
Rs=1800--2200 |
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Rep |
POLY電阻 |
Rs=950--1250 |
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rcs |
鉻硅電阻 |
Rs=850-1150 |
工藝平臺簡介_WX40
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